Semiconductor Fairchild
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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FDP3632: las condiciones de los productos |
MOSFET 100V 80a.9 Ohms/VGS = 1V
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NDS9948 |
MOSFET Dual PCh PowerTrench
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad de los vehículos de motor no deberán ser iguales a las de los equipos de seguridad de los vehículos. |
MOSFET 60V N-Canal QFET Nivel lógico
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BSS138K |
MOSFET 50V NCh Modo de mejora del nivel lógico FET
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FQB34P10TM |
MOSFET 100V QFET de canal P
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FQP14N30 |
MOSFET 300V QFET de canal N
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FQPF2N60C |
MOSFET 600V Q-FET avanzado de canal N
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FDPF10N60NZ |
MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II: el sistema de transmisión de la señal de la señal de la señal d
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FDMS3500 |
MOSFET 75V N-Canal PowerTrench
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FDMS8460 |
MOSFET 40V Fosa de energía de canal N
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FDMS86200 |
MOSFET 150V MOSFET de transmisión de energía de canal N
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FQP46N15 |
MOSFET 150V QFET de canal N
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FDS86141 y otros |
MOSFET 100V MOSFET de transmisión de energía de canal N
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FQD18N20V2TM |
MOSFET 200V N-Ch adv QFET Serie V2
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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos |
MOSFET SOT-223 P-CH -20 V
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Se trata de una prueba de la eficacia de los medicamentos. |
MOSFET 500V de canal N
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FQA46N15 |
MOSFET 150V QFET de canal N
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FDP51N25 |
MOSFET 250V MOSFET de canal N
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FQP27N25 |
MOSFET 250V QFET de canal N
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FDMS86104 y sus derivados |
MOSFET 100V MOSFET de transmisión de energía de canal N
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FQPF6N90C |
MOSFET 900V N-Ch Q-FET avanzado de la serie C
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FQP2N60C |
MOSFET 600V Q-FET avanzado de canal N
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FQP3P20 |
MOSFET 200V QFET de canal P
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FDC2512 |
MOSFET 150V NCh PowerTrench (Tranqueador de energía de la red eléctrica)
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET 100V 75A N-Chan PowerTrench (Tranqueador de energía de N-Chan)
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FQP17N40: las condiciones de los productos |
MOSFET 400V QFET de canal N
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2N7000TA |
MOSFET 60V de canal N Sm Sig
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Las condiciones de los certificados deberán ser las siguientes: |
MOSFET 600V N-CHAN MOSFET y sus componentes
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FDMC7570S: el número de unidad |
MOSFET 25V 40A 2mOhm N-CH PowerTrench SyncFET y otros sistemas de transmisión de energía
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FDD6688 |
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
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FDS4465 |
MOSFET SO-8
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FDS6298 y demás |
MOSFET 30V N-CH conmutador rápido PwrTrenCH MOSFET
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FQPF8N60C |
MOSFET 600V N-Ch Q-FET avanzado de la serie C
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET 800V N-Ch Q-FET avanzado de la serie C
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FQP6N90C |
MOSFET 900V N-Ch Q-FET avanzado de la serie C
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FQB9P25TM |
MOSFET 250V QFET de canal P
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FDMC8884 |
MOSFET 30V Fosa de energía de canal N
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FQA90N15 |
MOSFET 150V QFET de canal N
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FDA59N30 |
MOSFET del MOSFET 500V NCH
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FQP22N30: las condiciones de los productos |
MOSFET 300V QFET de canal N
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FQP4P40 |
MOSFET 400V QFET de canal P
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FQP70N10 |
MOSFET 100V QFET de canal N
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FDMC86139P |
MOSFET PT5 100V/25V Pch Trench de potencia Mosfet
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Las condiciones de las condiciones de ensayo se especifican en el anexo I. |
MOSFET 800V N-Ch Q-FET avanzado de la serie C
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FQB12P20TM |
MOSFET 200V QFET de canal P
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FQT4N20LTF |
MOSFET 200V único
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FDD8874 y otros |
MOSFET 30V N-Canal PowerTrench
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2N7002DW |
MOSFET Modo de mejora N-Chan Efecto de campo
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FDP075N15A_F102 Las condiciones de las condiciones de trabajo |
MOSFET 150V NChan PwrTrench y otros dispositivos
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FDPF20N50 |
MOSFET 500V MOSFET N-CH
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