PDTC114ET,215
fabricante:
Nexperia EE.UU. Inc.
Descripción:
Trans Prebias NPN 250 MW a 236 AB
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Transistores bipolares de un s
Corriente - colector (Ic) (máximo):
100 MA
Estado del producto:
Actividad
Tipo de transistor:
NPN - Pre-en polarización negativa
Frecuencia - Transición:
230 megaciclos
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Serie:
-
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic:
Las emisiones de dióxido de carbono de los combustibles fósiles y de los combustibles fósiles de los
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
50 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Resistencia - Base (R1):
10 kOhms
El Sr.:
Nexperia EE.UU. Inc.
Resistencia - Base del emisor (R2):
10 kOhms
Corriente - límite del colector (máximo):
1µA
Potencia - máximo:
250 mW
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
30 @ 5mA, 5V
Número del producto de base:
PDTC114
Introducción
Transistores bipolares (BJT) NPN - 50 V 100 mA 230 MHz 250 mW con montaje de superficie previo al sesgo
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Común:
MOQ: