Se trata de un artículo de la Ley n.o 108/1999.
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Transistores bipolares de un s
Corriente - colector (Ic) (máximo):
100 MA
Estado del producto:
Actividad
Tipo de transistor:
NPN - Pre-en polarización negativa
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Serie:
-
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic:
250 mV @ 1mA, 10 mA
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
50 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Resistencia - Base (R1):
4,7 kiloohmios
El Sr.:
en semi
Resistencia - Base del emisor (R2):
4,7 kiloohmios
Corriente - límite del colector (máximo):
500 nA
Potencia - máximo:
246 mW
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
15 @ 5mA, 10V
Número del producto de base:
Se trata de la MMUN2232.
Introducción
Transistor bipolar pre-biasado (BJT) NPN - 50 V 100 mA 246 mW pre-biasado Montado de superficie SOT-23-3 (TO-236)
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Común:
MOQ: