Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases.
fabricante:
NXP EE.UU. Inc.
Descripción:
FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Voltado nominal:
Las demás:
paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Configuración:
- ¿Qué quieres decir?
Serie:
-
Figura del ruido:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
El número de unidades de producción
Voltaje - prueba:
50 V
El Sr.:
NXP USA Inc.
Frecuencia:
230MHz
Ganancias:
25 dB
Envase / estuche:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Actual - prueba:
100 MA
Potencia - Producción:
600 W
Tecnología:
ldmos
Clasificación de corriente (amperios):
-
Número del producto de base:
Se trata de la siguiente:
Introducción
Mosfet RF 50 V 100 mA 230 MHz 25 dB 600 W NI-1230-4H
Productos relacionados
| Imagen | parte # | Descripción | |
|---|---|---|---|
|
|
AFT21S230SR3 y sus componentes |
FET RF 65V 2.11GHZ NI780S-6
|
Envíe el RFQ
Común:
MOQ: