NE3515S02-T1C-A
fabricante:
El CEL
Descripción:
HJ SUPER BAJO RUIDO PSEUDOMORFO
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF y MOSFET
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado nominal:
4 V
paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
Figura del ruido:
0.3dB
Paquete de dispositivos del proveedor:
4-Micro-X
Voltaje - prueba:
2 V
El Sr.:
CEL
Frecuencia:
12GHz
Ganancias:
12.5 dB
Envase / estuche:
4-Micro-X
Actual - prueba:
10 mA
Potencia - Producción:
-
Tecnología:
HFET
Clasificación de corriente (amperios):
88mA
Introducción
RF Mosfet 2 V 10 mA 12 GHz 12,5 dB 4-Micro-X
Envíe el RFQ
Común:
MOQ: