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Se trata de un artículo de la Directiva 2008/57/CE.

fabricante:
Tecnología de microchips
Descripción:
SI PPIN MELF HERMÉTICO
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos de semiconductor discretos Diodos Diodos del RF
Estado del producto:
Actividad
paquete:
El bolso
Serie:
-
Capacidad @ Vr, F:
0.9pF @ 50V, 1MHz
Resistencia @ si, F:
750mOhm @ 50mA, 100MHz
Válti­dad - Pico inverso (máximo):
50 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
-
El Sr.:
Tecnología de microchips
Envase / estuche:
2-SMD
Disipación de poder (máxima):
4 W
Tipo de diodo:
PIN - Solo
Temperatura de funcionamiento:
-65 °C ~ 175 °C
Introducción
PIN de diodo de RF - 50V único de 4 W
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Común:
MOQ: