El PUMH10,115
fabricante:
Nexperia EE.UU. Inc.
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Arrays de transistores bipolar
Corriente - colector (Ic) (máximo):
El valor de las emisiones
Estado del producto:
Actividad
Tipo de transistor:
2 NPN - Pre-sesgado (doble)
Frecuencia - Transición:
-
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Serie:
-
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic:
Las emisiones de dióxido de carbono de los combustibles fósiles de los combustibles fósiles de los c
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
50 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
6-TSSOP
Resistencia - Base (R1):
2.2 kOhms
El Sr.:
Nexperia EE.UU. Inc.
Resistencia - Base del emisor (R2):
47 kOhms
Corriente - límite del colector (máximo):
1µA
Potencia - máximo:
300 mW
Envase / estuche:
Se aplicará el procedimiento de evaluación de la compatibilidad con el mercado.
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Número del producto de base:
PUMH10
Introducción
Transistores bipolares prebiasados (BJT) 2 NPN - Prebiasados (dobles) 50V 100mA 300mW Montado de superficie 6-TSSOP
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Común:
MOQ: