PBLS6003D,115
fabricante:
Nexperia EE.UU. Inc.
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Arrays de transistores bipolar
Corriente - colector (Ic) (máximo):
100 mA, 700 mA
Estado del producto:
Actividad
Tipo de transistor:
1 NPN Previado, 1 PNP
Frecuencia - Transición:
185MHz
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Serie:
-
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic:
El valor de las emisiones de CO2 de las instalaciones eléctricas de combustión interna no debe exced
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
50 V, 60 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
6-TSOP
Resistencia - Base (R1):
10kOhmios
El Sr.:
Nexperia EE.UU. Inc.
Resistencia - Base del emisor (R2):
10kOhmios
Corriente - límite del colector (máximo):
1 μA, 100 nA
Potencia - máximo:
600 mW
Envase / estuche:
SC-74, SOT-457
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable se calculará en función de l
Número del producto de base:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Introducción
Transistores bipolares pre-biasados (BJT) 1 NPN Pre-biasado, 1 PNP 50V, 60V 100mA, 700mA 185MHz 600mW Monte de superficie 6-TSOP
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Común:
MOQ: