EMD9T2R
fabricante:
Semiconductor de Rohm
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Arrays de transistores bipolar
Corriente - colector (Ic) (máximo):
El valor de las emisiones
Estado del producto:
Actividad
Tipo de transistor:
1 NPN, 1 PNP - Previado (doble)
Frecuencia - Transición:
250 MHz
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Serie:
-
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic:
Las emisiones de dióxido de carbono de los combustibles fósiles se calcularán en función de las emis
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
50 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
EMT6
Resistencia - Base (R1):
10kOhmios
El Sr.:
Se trata de un sistema de transmisión de datos.
Resistencia - Base del emisor (R2):
47 kOhms
Corriente - límite del colector (máximo):
500 nA
Potencia - máximo:
150 mW
Envase / estuche:
La Comisión ha adoptado la presente Decisión en virtud del apartado 2 del artículo 3 del Reglamento
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
68 @ 5mA, 5V
Número del producto de base:
EMD9T2
Introducción
Transistores bipolares (BJT) prebiasados 1 NPN, 1 PNP - prebiasados (dobles) 50V 100mA 250MHz 150mW Montado de superficie EMT6
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Común:
MOQ: