IKW25N120H3
fabricante:
Tecnologías Infineon
Categoría:
Semiconductores
Especificaciones
corriente de la salida del Puerta-emisor:
nA 600
Categoría de productos:
Transistores IGBT
Estilo de montaje:
A través del agujero
Corriente de colector continua en 25 C:
50 A
Pd - Disposición de energía:
326 W
Voltaje VCEO del emisor del colector máximo:
Las demás:
Envase / estuche:
TO-247-3
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 175 C
Voltaje máximo del emisor de la puerta:
20 V
embalaje:
El tubo
Configuración:
No casado
Voltaje de saturación del Colector-emisor:
2,7 V
Fabricante:
Tecnologías Infineon
Introducción
El IKW25N120H3, de Infineon Technologies, son transistores IGBT. lo que ofrecemos tienen un precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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