Se aplicará el procedimiento siguiente:
fabricante:
Diodos incorporados
Descripción:
Transmisión de la energía de la red de la red de la red
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Arrays de transistores bipolar
Corriente - colector (Ic) (máximo):
1.5A
Estado del producto:
Actividad
Tipo de transistor:
NPN, PNP
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Frecuencia - Transición:
-
paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Serie:
-
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic:
375 mV @ 15mA, 750 mA
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
30 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
El SOT-26
El Sr.:
Diodos incorporados
Corriente - límite del colector (máximo):
20nA
Potencia - máximo:
1.1W
Envase / estuche:
Se trata de la SOT-23-6.
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
180 @ 100 mA, 2 V
Número del producto de base:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Introducción
Transistor bipolar (BJT) NPN, PNP 30V 1.5A 1.1W Montaje de superficie SOT-26
Envíe el RFQ
Común:
MOQ: