Los demás productos
fabricante:
Semiconductor de Rohm
Descripción:
Se utilizará un transistor NPN + NPN
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Arrays de transistores bipolar
Corriente - colector (Ic) (máximo):
1a
Estado del producto:
Actividad
Tipo de transistor:
2 NPN (duales)
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Frecuencia - Transición:
320 MHz
paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Serie:
-
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
30 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
TEMT6
El Sr.:
Se trata de un sistema de transmisión de datos.
Corriente - límite del colector (máximo):
100nA (ICBO)
Potencia - máximo:
400mW
Envase / estuche:
6-SMD, conductores planos
Temperatura de funcionamiento:
150°C (TJ)
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
Las emisiones de dióxido de carbono se calcularán en función de las emisiones de dióxido de carbono.
Número del producto de base:
US6X8
Introducción
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 30V 1A 320MHz 400mW Montado de superficie TUMT6
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Común:
MOQ: