Los demás elementos de la partida 2
fabricante:
Renesas Electronics América Inc.
Descripción:
Transmisión 5NPN 15V 0.1A 16DIP
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Arrays de transistores bipolar
Corriente - colector (Ic) (máximo):
El valor de las emisiones
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de transistor:
5 NPN
Tipo de montaje:
A través del agujero
Frecuencia - Transición:
450Mhz
paquete:
El tubo
Serie:
-
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic:
Las emisiones de dióxido de carbono de los combustibles fósiles son las siguientes:
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
15 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
16-PDIP
El Sr.:
Renesas Electronics América Inc.
Corriente - límite del colector (máximo):
10µA
Potencia - máximo:
500 mW
Envase / estuche:
16 DIP (0,300" y 7,62 mm)
Temperatura de funcionamiento:
150°C (TJ)
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
40 @ 50 mA, 3 V
Número del producto de base:
Los demás elementos de la partida 2
Introducción
Bipolar (BJT) Transistor Array 5 NPN 15V 100mA 450MHz 500mW a través del agujero 16-PDIP
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Común:
MOQ: