FP75R12KT4
fabricante:
Tecnologías Infineon
Descripción:
Los módulos IGBT 1.85V IGBT 4 PIM
Categoría:
Semiconductores
Especificaciones
corriente de la salida del Puerta-emisor:
nA 100
Categoría de productos:
Módulos de IGBT
Corriente de colector continua en 25 C:
150 A
Pd - Disposición de energía:
385 W
Voltaje VCEO del emisor del colector máximo:
Las demás:
Envase / estuche:
- ¿Cuál es el problema?
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 °C
Configuración:
3 fases
Voltaje de saturación del Colector-emisor:
2,25 V
Producto:
Módulos del silicio de IGBT
Fabricante:
Tecnologías Infineon
Introducción
El FP75R12KT4, de Infineon Technologies, son módulos IGBT. lo que ofrecemos tienen un precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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Se aplicará el procedimiento siguiente:
Las condiciones de los vehículos de las categorías M1 y M2 no se aplicarán.
Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web del organismo notificado.
Se aplicará a los vehículos de la categoría M1 y M2.
Se trata de un sistema de control de velocidad.
Se aplicarán las disposiciones siguientes:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
AIKQ120N60CT
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Envíe el RFQ
Común:
MOQ: