IXXH50N60C3D1
Especificaciones
corriente de la salida del Puerta-emisor:
nA 100
Categoría de productos:
Transistores IGBT
Estilo de montaje:
A través del agujero
Corriente de colector continua en 25 C:
100 A
Pd - Disposición de energía:
600 w
Voltaje VCEO del emisor del colector máximo:
Las demás:
Envase / estuche:
TO-247AD
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 °C
embalaje:
El tubo
Voltaje máximo del emisor de la puerta:
20 V
Voltaje de saturación del Colector-emisor:
2,3 V
Fabricante:
IXYS
Introducción
El IXXH50N60C3D1, de IXYS, son transistores IGBT. lo que ofrecemos tienen un precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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