HGT1S10N120BNST
fabricante:
Semiconductor Fairchild
Descripción:
Transistores IGBT de canal N IGBT de la serie NPT 1200V
Categoría:
Semiconductores
Especificaciones
corriente de la salida del Puerta-emisor:
+/- 250 nA
Categoría de productos:
Transistores IGBT
Estilo de montaje:
DSM/SMT
Corriente de colector continua en 25 C:
35 A
Pd - Disposición de energía:
298 W
Voltaje VCEO del emisor del colector máximo:
Las demás:
Envase / estuche:
TO-263AB-3
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 °C
Voltaje máximo del emisor de la puerta:
+/- 20 V
embalaje:
El rollo
Configuración:
No casado
Voltaje de saturación del Colector-emisor:
2,7 V
Fabricante:
Semiconductor Fairchild
Introducción
El HGT1S10N120BNST, de Fairchild Semiconductor, son transistores IGBT. lo que ofrecemos tienen un precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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