STGW80H65DFB
fabricante:
STMicroelectrónica
Descripción:
IGBT Transistores Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A
Categoría:
Semiconductores
Especificaciones
corriente de la salida del Puerta-emisor:
250 nA
Categoría de productos:
Transistores IGBT
Estilo de montaje:
A través del agujero
Corriente de colector continua en 25 C:
120 A
Pd - Disposición de energía:
469 W
Voltaje VCEO del emisor del colector máximo:
650 V
Envase / estuche:
TO-247-3
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 175 C
Voltaje máximo del emisor de la puerta:
20 V
embalaje:
El tubo
Configuración:
No casado
Voltaje de saturación del Colector-emisor:
1,6 V
Fabricante:
STMicroelectrónica
Introducción
El STGW80H65DFB, de STMicroelectronics, son transistores IGBT. lo que ofrecemos tienen un precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
Related Products
STGWA60H65DFB
IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
STGW45HF60WD
IGBT Transistors 45A 600V Ultra Fast IGBT
Se aplicará el procedimiento siguiente:
| Imagen | parte # | Descripción | |
|---|---|---|---|
|
|
STGWA60H65DFB |
IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
|
|
|
|
STGW45HF60WD |
IGBT Transistors 45A 600V Ultra Fast IGBT
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
|
Envíe el RFQ
Común:
MOQ: