IXGK120N120A3
fabricante:
IXYS
Descripción:
Transistores IGBT de 120 Amperios y 1200 V
Categoría:
Semiconductores
Especificaciones
corriente de la salida del Puerta-emisor:
nA 400
Categoría de productos:
Transistores IGBT
Estilo de montaje:
A través del agujero
Corriente de colector continua en 25 C:
240 A
Pd - Disposición de energía:
830 W
Voltaje VCEO del emisor del colector máximo:
1,2 kilovoltios
Envase / estuche:
TO-264-3
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 °C
Voltaje máximo del emisor de la puerta:
+/- 20 V
embalaje:
El tubo
Configuración:
No casado
Voltaje de saturación del Colector-emisor:
1,85 V
Fabricante:
IXYS
Introducción
El IXGK120N120A3, de IXYS, son transistores IGBT. lo que ofrecemos tienen un precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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