Se aplicará el método de cálculo de las emisiones de CO2 de las emisiones de gases de efecto invernadero.
fabricante:
Semiconductor de Rohm
Descripción:
Transistores IGBT 650V 50A IGBT Trench de parada
Categoría:
Semiconductores
Especificaciones
corriente de la salida del Puerta-emisor:
+/- 200 nA
Categoría de productos:
Transistores IGBT
Estilo de montaje:
A través del agujero
Corriente de colector continua en 25 C:
85 A
Pd - Disposición de energía:
277 W
Voltaje VCEO del emisor del colector máximo:
650 V
Envase / estuche:
TO-247-3
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 175 C
embalaje:
El tubo
Voltaje máximo del emisor de la puerta:
+/- 30 V
Voltaje de saturación del Colector-emisor:
1,6 V
Fabricante:
Se trata de un sistema de transmisión de datos.
Introducción
El RGTH00TS65DGC11, de ROHM Semiconductor, son transistores IGBT. lo que ofrecemos tienen un precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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