THGBMDG5D1LBAIT
fabricante:
toshiba
Descripción:
Memoria Flash 4GB NAND EEPROM
Categoría:
Semiconductores
Especificaciones
Categoría de productos:
Memoria flash
Estilo de montaje:
DSM/SMT
Envase / estuche:
FBGA-153
Válvula de alimentación - máximo:
3.6 V
Tamaño de la memoria:
4 GB
embalaje:
Envases
Voltado de alimentación - Min:
2,7 V
Tipo de memoria:
NAND
Rango de temperatura de funcionamiento:
- 25 C a + 85 C
Fabricante:
Toshiba
Introducción
El THGBMDG5D1LBAIT, de Toshiba, es una memoria flash. lo que ofrecemos tiene un precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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