TC58NVG1S3HBAI4
fabricante:
toshiba
Descripción:
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS y EEPROM NAND
Categoría:
Semiconductores
Especificaciones
Categoría de productos:
EEPROM
Organizaciones:
256 M x 8
Tamaño de la memoria:
2 Gbit
embalaje:
Envases
Serie:
TC58NVG1S3
Tipo de interfaz:
En paralelo
Fabricante:
Toshiba
Introducción
El TC58NVG1S3HBAI4, de Toshiba, es EEPROM. lo que ofrecemos tiene un precio competitivo en el mercado mundial, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
El número de unidades de producción será el siguiente:
EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
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