Hogar > productos > Semiconductores > IXDI604SI

IXDI604SI

fabricante:
Circuitos integrados IXYS
Descripción:
Los controladores de puertas 4A con doble motor de Mosfet ultrarápido de lado bajo
Categoría:
Semiconductores
Especificaciones
Corriente de la fuente de funcionamiento:
10 UA
Corriente de salida:
4 A
Categoría de productos:
Conductores de la puerta
Estilo de montaje:
DSM/SMT
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 40 ° C.
Válvula de alimentación - máximo:
Las demás:
Envase / estuche:
El número de unidades de producción
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 125 C
embalaje:
El tubo
Voltado de alimentación - Min:
4.5 V
Tiempo de subida:
9 ns
Producto:
Los controladores de puertas de MOSFET
Tiempo de caída:
8 años
El tipo:
Conductores MOSFET de doble lado bajo y ultrarrápidos
Serie:
El número IXDI604
Número de conductores:
Conductor 2
Fabricante:
Circuitos integrados IXYS
Introducción
El IXDI604SI, de IXYS Circuitos Integrados, es Gate Drivers. lo que ofrecemos tienen un precio competitivo en el mercado mundial, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
Productos relacionados
Las condiciones de los productos de la categoría II

Las condiciones de los productos de la categoría II

Gate Drivers 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
FDA217STR

FDA217STR

Gate Drivers Dual Photovolatic MOSFET Driver
IX4427NTR

IX4427NTR

Gate Drivers DUAL NON INVERT DRVR 8P SOIC Input CMOS
El número de unidades de producción es el siguiente:

El número de unidades de producción es el siguiente:

Gate Drivers 9V 5-PIN TO-263 MOSFET DRIVER; 30A
Las demás partidas

Las demás partidas

Gate Drivers 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV
IXDF604SIA, incluidos los siguientes:

IXDF604SIA, incluidos los siguientes:

Gate Drivers 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV
IXDN604SIATR

IXDN604SIATR

Gate Drivers 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV
Se aplicará a los productos de la categoría II.

Se aplicará a los productos de la categoría II.

Gate Drivers 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
Las demás partidas

Las demás partidas

Gate Drivers 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
El número de unidades de producción

El número de unidades de producción

Gate Drivers 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
Las condiciones de los productos de la categoría II son las siguientes:

Las condiciones de los productos de la categoría II son las siguientes:

Gate Drivers 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
IXDD609SI

IXDD609SI

Gate Drivers 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
IXDD604SI

IXDD604SI

Gate Drivers 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV
IXDN604SIA

IXDN604SIA

Gate Drivers 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV
IXDN602SIA

IXDN602SIA

Gate Drivers 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET
Las condiciones de los productos de la categoría II son las siguientes:

Las condiciones de los productos de la categoría II son las siguientes:

Gate Drivers 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
IXDI609PI y sus derivados

IXDI609PI y sus derivados

Gate Drivers 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
IX4428N

IX4428N

Gate Drivers 1 INVRT, 1 NON INVRT 8P SOIC Input CMOS
Las condiciones de los productos de la categoría II son las siguientes:

Las condiciones de los productos de la categoría II son las siguientes:

Gate Drivers 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

Gate Drivers 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET
IXDD614CI

IXDD614CI

Gate Drivers 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
Se aplicará el procedimiento de clasificación de los productos.

Se aplicará el procedimiento de clasificación de los productos.

Gate Drivers 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV
IXDI609SIATR, incluidos los siguientes:

IXDI609SIATR, incluidos los siguientes:

Gate Drivers 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
IX3120GS

IX3120GS

Gate Drivers 2.5A Output Gate Drv 60747-5-5 option
IXDI614YI

IXDI614YI

Gate Drivers 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
El número de unidades de producción es:

El número de unidades de producción es:

Gate Drivers 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
IXDN630YI

IXDN630YI

Gate Drivers 12.5V 5-PIN TO-263 MOSFET DRIVER; 30A
IXDD604SIATR

IXDD604SIATR

Gate Drivers 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV
Se aplicará el método de evaluación de la calidad.

Se aplicará el método de evaluación de la calidad.

Gate Drivers 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

Gate Drivers 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET
Imagen parte # Descripción
Las condiciones de los productos de la categoría II

Las condiciones de los productos de la categoría II

Gate Drivers 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
FDA217STR

FDA217STR

Gate Drivers Dual Photovolatic MOSFET Driver
IX4427NTR

IX4427NTR

Gate Drivers DUAL NON INVERT DRVR 8P SOIC Input CMOS
El número de unidades de producción es el siguiente:

El número de unidades de producción es el siguiente:

Gate Drivers 9V 5-PIN TO-263 MOSFET DRIVER; 30A
Las demás partidas

Las demás partidas

Gate Drivers 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV
IXDF604SIA, incluidos los siguientes:

IXDF604SIA, incluidos los siguientes:

Gate Drivers 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV
IXDN604SIATR

IXDN604SIATR

Gate Drivers 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV
Se aplicará a los productos de la categoría II.

Se aplicará a los productos de la categoría II.

Gate Drivers 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
Las demás partidas

Las demás partidas

Gate Drivers 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
El número de unidades de producción

El número de unidades de producción

Gate Drivers 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
Las condiciones de los productos de la categoría II son las siguientes:

Las condiciones de los productos de la categoría II son las siguientes:

Gate Drivers 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
IXDD609SI

IXDD609SI

Gate Drivers 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
IXDD604SI

IXDD604SI

Gate Drivers 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV
IXDN604SIA

IXDN604SIA

Gate Drivers 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV
IXDN602SIA

IXDN602SIA

Gate Drivers 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET
Las condiciones de los productos de la categoría II son las siguientes:

Las condiciones de los productos de la categoría II son las siguientes:

Gate Drivers 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
IXDI609PI y sus derivados

IXDI609PI y sus derivados

Gate Drivers 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
IX4428N

IX4428N

Gate Drivers 1 INVRT, 1 NON INVRT 8P SOIC Input CMOS
Las condiciones de los productos de la categoría II son las siguientes:

Las condiciones de los productos de la categoría II son las siguientes:

Gate Drivers 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

Gate Drivers 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET
IXDD614CI

IXDD614CI

Gate Drivers 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
Se aplicará el procedimiento de clasificación de los productos.

Se aplicará el procedimiento de clasificación de los productos.

Gate Drivers 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV
IXDI609SIATR, incluidos los siguientes:

IXDI609SIATR, incluidos los siguientes:

Gate Drivers 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
IX3120GS

IX3120GS

Gate Drivers 2.5A Output Gate Drv 60747-5-5 option
IXDI614YI

IXDI614YI

Gate Drivers 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
El número de unidades de producción es:

El número de unidades de producción es:

Gate Drivers 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
IXDN630YI

IXDN630YI

Gate Drivers 12.5V 5-PIN TO-263 MOSFET DRIVER; 30A
IXDD604SIATR

IXDD604SIATR

Gate Drivers 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV
Se aplicará el método de evaluación de la calidad.

Se aplicará el método de evaluación de la calidad.

Gate Drivers 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

Gate Drivers 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET
Envíe el RFQ
Común:
MOQ: