Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se especifican en el anexo II.
fabricante:
En el caso de las
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
Categoría:
Semiconductores
Especificaciones
Categoría de productos:
MOSFET
Vgs (máximo):
± 20 V
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
5.8A (Tc)
@ qty:
0
Tipo de FET:
N-canal
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
6nC @ 5V
Fabricante:
en semi
Cantidad mínima:
2500
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
5V, 10V
El stock de la fábrica:
0
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Característica del FET:
-
Serie:
QFET®
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
Las emisiones de gases de efecto invernadero
Paquete de dispositivos del proveedor:
D-PAK
Estado de las partes:
Actividad
embalaje:
Cintas y bobinas (TR)
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Disipación de poder (máxima):
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Envase / estuche:
TO-252-3, DPak (2 Pistas + Tab), SC-63
Tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Vgs(th) (máximo) @ Id:
2V @ 250μA
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Introducción
El FQD7N10LTM,de onsemi,es MOSFET.Lo que ofrecemos tiene un precio competitivo en el mercado mundial,que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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