SUM90P10-19L-E3
Especificaciones
Polaridad del transistor:
P-canal
Categoría de productos:
MOSFET
Tiempo de retraso de abertura típico:
20 ns
Disipación de la potencia Pd:
375 W
Voltado de la fuente de la puerta Vgs:
-20 V, + 20 V
Temperatura mínima de trabajo:
-55 C
paquete:
El rollo
Nombre comercial:
TrenchFET
Tiempo de caída:
870 ns
Fabricante:
Siliconix / Vishay
Cantidad de embalaje de fábrica:
800
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado:
145 ns
Configuración:
No casado
Tipo de producto:
MOSFET
Transconductividad hacia adelante-mínimo:
80 S
Temperatura de trabajo máxima:
+ 175 C
Tiempo de subida:
510 ns
Número de canales:
1 Canal
Marca registrada:
Vishay Semiconductores
Carga de la puerta Qg:
217 después de Cristo
Id. Corriente de drenaje continua:
90 A
Tipo de transistor:
1 canal P
Estilo de la instalación:
DSM/SMT
Paquete/caja:
TO-263-3
Modo del canal:
Aumento
Tecnología:
Si
Vds-Drain fuente de voltaje de ruptura:
Las demás:
Serie:
SUMA
Rds de la fuente de descarga sobre la resistencia:
19 mOhms
Vgs th- voltaje umbral de la fuente de la puerta:
1 V
Introducción
El SUM90P10-19L-E3, de Siliconix / Vishay, es MOSFET. lo que ofrecemos tiene un precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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