DMN26D0UFB4-7
fabricante:
Diodos incorporados
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 230MA DFN
Categoría:
Semiconductores
Especificaciones
Categoría de productos:
MOSFET
Vgs (máximo):
±10V
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
Las condiciones de ensayo de los equipos de ensayo deberán ser las siguientes:
@ qty:
0
Tipo de FET:
N-canal
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
-
Fabricante:
Diodos incorporados
Cantidad mínima:
3000
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
1,5 V, 4,5 V
El stock de la fábrica:
0
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Característica del FET:
-
Serie:
-
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
14.1pF @ 15V
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un sistema de control de las emisiones.
Estado de las partes:
Actividad
embalaje:
Cintas y bobinas (TR)
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
3 Ohm @ 100 mA, 4,5 V
Disipación de poder (máxima):
350mW (TA)
Envase / estuche:
3-XFDFN
Tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Vgs(th) (máximo) @ Id:
1.1V @ 250µA
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
20 V
Introducción
El DMN26D0UFB4-7, de Diodes Incorporated, es MOSFET. lo que ofrecemos tiene un precio competitivo en el mercado mundial, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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