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El número de unidades de seguridad de la aeronave

fabricante:
IXYS
Descripción:
MOSFET 26 Amperios 1200 V
Categoría:
Semiconductores
Especificaciones
Polaridad del transistor:
N-canal
Tecnología:
Si
Identificación - corriente continua del dren:
26 A
Estilo de montaje:
A través del agujero
Marca registrada:
Polvo, HiPerFET
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Envase / estuche:
TO-264-3
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 °C
Modo del canal:
Aumento
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:
Las demás:
embalaje:
El tubo
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente:
6,5 V
Categoría de productos:
MOSFET
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:
500 mOhms
Número de canales:
1 Canal
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:
30 V
Qg - carga de la puerta:
255 después de Cristo
Fabricante:
IXYS
Introducción
El IXFK26N120P,de IXYS,es MOSFET.Lo que ofrecemos tiene un precio competitivo en el mercado mundial,que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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