TK4P60DB
fabricante:
toshiba
Descripción:
MOSFET N-Ch MOS 3.7A 600V 80W 540pF 2.0 Ohm
Categoría:
Semiconductores
Especificaciones
Polaridad del transistor:
N-canal
Tecnología:
Si
Categoría de productos:
MOSFET
Estilo de montaje:
DSM/SMT
Envase / estuche:
TO-252-3
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:
Las demás:
embalaje:
El rollo
Identificación - corriente continua del dren:
3,7 A
Número de canales:
1 Canal
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:
2 ohmios
Fabricante:
Toshiba
Introducción
El TK4P60DB, de Toshiba, es MOSFET. lo que ofrecemos tiene un precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
Related Products
TK20A60U
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220SIS
Se trata de un sistema de control de las emisiones.
MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS
2SA1244-Y
Silicon PNP Power Transistors
TK12A60D
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS
TPH1400ANH,L1Q: el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero
MOSFET N-Ch 60V 42A 48W UMOSVIII 1440pF 22nC
TPH4R50ANH
MOSFET U-MOSVIII-H 100V 93A 58nC MOSFET
TK10A60D
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
2SK3878
Switching Regulator Applications
| Imagen | parte # | Descripción | |
|---|---|---|---|
|
|
TK20A60U |
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220SIS
|
|
|
|
Se trata de un sistema de control de las emisiones. |
MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS
|
|
|
|
2SA1244-Y |
Silicon PNP Power Transistors
|
|
|
|
TK12A60D |
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS
|
|
|
|
TPH1400ANH,L1Q: el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero |
MOSFET N-Ch 60V 42A 48W UMOSVIII 1440pF 22nC
|
|
|
|
TPH4R50ANH |
MOSFET U-MOSVIII-H 100V 93A 58nC MOSFET
|
|
|
|
TK10A60D |
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
|
|
|
|
2SK3878 |
Switching Regulator Applications
|
Envíe el RFQ
Común:
MOQ: