FDN306P
fabricante:
En el caso de las
Descripción:
MOSFET P-CH 12V 2,6A SSOT3
Categoría:
Semiconductores
Especificaciones
Categoría de productos:
MOSFET
Vgs (máximo):
±8V
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
2.6A (TA)
@ qty:
0
Tipo de FET:
P-canal
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
El valor de las emisiones de dióxido de carbono se calculará en función de las emisiones de dióxido
Fabricante:
en semi
Cantidad mínima:
3000
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
1.8V, 4.5V
El stock de la fábrica:
0
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Característica del FET:
-
Serie:
PowerTrench®
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Paquete de dispositivos del proveedor:
SuperSOT-3
Estado de las partes:
Actividad
embalaje:
Cintas y bobinas (TR)
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
40 mOhm @ 2,6 A, 4,5 V
Disipación de poder (máxima):
500mW (TA)
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
Tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Vgs(th) (máximo) @ Id:
1.5V @ 250µA
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
12 V
Introducción
El FDN306P,de onsemi,es MOSFET. lo que ofrecemos tiene un precio competitivo en el mercado mundial,que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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