DMN65D8LDW-7
fabricante:
Diodos incorporados
Descripción:
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Categoría:
Semiconductores
Especificaciones
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de la SOT-363.
Categoría de productos:
MOSFET
El stock de la fábrica:
0
Cantidad mínima:
3000
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
22pF @ 25V
Envase / estuche:
Se aplicará el procedimiento de evaluación de la compatibilidad con el mercado.
Estado de las partes:
Actividad
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
180mA
embalaje:
Cintas y bobinas (TR)
@ qty:
0
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de FET:
Canal N 2 (dual)
Característica del FET:
Puerta del nivel de la lógica
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
0.87nC @ 10V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
6 Ohm @ 115 mA, 10 V
Potencia - máximo:
300 mW
Vgs(th) (máximo) @ Id:
2V @ 250μA
Serie:
-
Fabricante:
Diodos incorporados
Introducción
El DMN65D8LDW-7, de Diodes Incorporated, es MOSFET. lo que ofrecemos tiene un precio competitivo en el mercado mundial, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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