SPA20N60C3
Especificaciones
Polaridad del transistor:
N-canal
Tecnología:
Si
Identificación - corriente continua del dren:
20.7 A
Estilo de montaje:
A través del agujero
Marca registrada:
CoolMOS
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Envase / estuche:
TO-220FP-3
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 °C
Modo del canal:
Aumento
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:
Las demás:
embalaje:
El tubo
Categoría de productos:
MOSFET
Número de canales:
1 Canal
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:
20 V
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:
Las demás partidas
Fabricante:
Tecnologías Infineon
Introducción
El SPA20N60C3, de Infineon Technologies, es un MOSFET. Lo que ofrecemos tiene un precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
Productos relacionados
IPA60R380E6
MOSFET N-Ch 650V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6
Se aplicará el método de cálculo de las emisiones de gases de efecto invernadero.
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8
Se aplicará el procedimiento de ensayo.
MOSFET N-Ch 40V 75A DPAK-2 OptiMOS-T2
Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea deben estar disponibles en la base de datos de los Estados miembros.
MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
IPW65R150CFD
MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO247-3
Se aplicará el procedimiento siguiente:
MOSFET N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6
IPW65R110CFD
MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2
Se aplicará el procedimiento siguiente:
MOSFET N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
BSC0906NS
MOSFET N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS
Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de las aeronaves de las categorías A y B.
MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8
El número de unidades de producción será el siguiente:
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
SPW47N60C3
MOSFET N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
IRFS4410ZTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK
IPA60R400CE
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
IPD25N06S4L-30
MOSFET N-Ch 60V 25A DPAK-2 OptiMOS-T2
SPA17N80C3
MOSFET N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
Se aplicará el procedimiento siguiente:
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
BSC028N06NS
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
IPW60R070P6
MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
BSC040N10NS5
MOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8
Se trata de un documento de identificación de la empresa.
MOSFET Audio MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC
IRFS4227TRLPBF
MOSFET MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg
IPP65R190CFD
MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO220-3 CoolMOS CFD2
Se aplicará el procedimiento siguiente:
MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2
IRFP4110PBF
MOSFET MOSFT 100V 168A 4.6mOhm 152nC Qg
Se trata de una prueba de la eficacia de los medicamentos.
MOSFET N-Ch 650V 63.3A TO247-3
Se aplicará el procedimiento siguiente:
MOSFET N-Ch 600V 16.4A ThinPAK-4 CoolMOS CP
BSC010N04LS
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea
MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
IRFS7530TRLPBF
MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
| Imagen | parte # | Descripción | |
|---|---|---|---|
|
|
IPA60R380E6 |
MOSFET N-Ch 650V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6
|
|
|
|
Se aplicará el método de cálculo de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
MOSFET N-Ch 40V 75A DPAK-2 OptiMOS-T2
|
|
|
|
Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea deben estar disponibles en la base de datos de los Estados miembros. |
MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
|
|
|
|
IPW65R150CFD |
MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO247-3
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6
|
|
|
|
IPW65R110CFD |
MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
|
|
|
|
BSC0906NS |
MOSFET N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS
|
|
|
|
Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de las aeronaves de las categorías A y B. |
MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8
|
|
|
|
El número de unidades de producción será el siguiente: |
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
|
|
|
|
SPW47N60C3 |
MOSFET N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
|
|
|
|
IRFS4410ZTRLPBF |
MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK
|
|
|
|
IPA60R400CE |
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
|
|
|
|
IPD25N06S4L-30 |
MOSFET N-Ch 60V 25A DPAK-2 OptiMOS-T2
|
|
|
|
SPA17N80C3 |
MOSFET N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
|
|
|
|
BSC028N06NS |
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
|
|
|
|
IPW60R070P6 |
MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
|
|
|
|
BSC040N10NS5 |
MOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8
|
|
|
|
Se trata de un documento de identificación de la empresa. |
MOSFET Audio MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC
|
|
|
|
IRFS4227TRLPBF |
MOSFET MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg
|
|
|
|
IPP65R190CFD |
MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO220-3 CoolMOS CFD2
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2
|
|
|
|
IRFP4110PBF |
MOSFET MOSFT 100V 168A 4.6mOhm 152nC Qg
|
|
|
|
Se trata de una prueba de la eficacia de los medicamentos. |
MOSFET N-Ch 650V 63.3A TO247-3
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
MOSFET N-Ch 600V 16.4A ThinPAK-4 CoolMOS CP
|
|
|
|
BSC010N04LS |
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
|
|
|
|
Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea |
MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
|
|
|
|
IRFS7530TRLPBF |
MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
|
Envíe el RFQ
Común:
MOQ:

