Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma IPD100N04
fabricante:
Tecnologías Infineon
Descripción:
MOSFET N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2 y otros componentes de los mismos
Categoría:
Semiconductores
Especificaciones
Polaridad del transistor:
N-canal
Tecnología:
Si
Identificación - corriente continua del dren:
100 A
Estilo de montaje:
DSM/SMT
Marca registrada:
OptiMOS
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Envase / estuche:
TO-252-3
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 175 C
Modo del canal:
Aumento
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:
40 V
embalaje:
El rollo
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente:
3 V
Categoría de productos:
MOSFET
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:
1.7 mOhms
Número de canales:
1 Canal
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:
20 V
Qg - carga de la puerta:
91 nC
Fabricante:
Tecnologías Infineon
Introducción
El IPD100N04S4-02, de Infineon Technologies, es un MOSFET. Lo que ofrecemos tiene un precio competitivo en el mercado mundial, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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