FDD3860: el número de unidades
fabricante:
En el caso de las
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK, para el cual se utilizará el sistema de control de velocidad.
Categoría:
Semiconductores
Especificaciones
Categoría de productos:
MOSFET
Vgs (máximo):
± 20 V
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
6.2A (TA)
@ qty:
0
Tipo de FET:
N-canal
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
31nC @ 10V
Fabricante:
en semi
Cantidad mínima:
2500
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
10 V
El stock de la fábrica:
0
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Característica del FET:
-
Serie:
PowerTrench®
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de la temperatura de la atmósf
Paquete de dispositivos del proveedor:
D-PAK (TO-252AA)
Estado de las partes:
Actividad
embalaje:
Cintas y bobinas (TR)
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de las emisiones de gases de e
Disipación de poder (máxima):
3.1W (Ta), 69W (Tc)
Envase / estuche:
TO-252-3, DPak (2 Pistas + Tab), SC-63
Tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Vgs(th) (máximo) @ Id:
4.5V @ 250µA
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Introducción
El FDD3860, de onsemi, es MOSFET. lo que ofrecemos tienen precio competitivo en el mercado mundial, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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