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DMG1012UW-7

fabricante:
Diodos incorporados
Descripción:
Se aplicará el método de ensayo de la composición de los materiales.
Categoría:
Semiconductores
Especificaciones
Categoría de productos:
MOSFET
Vgs (máximo):
±6V
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
1A (TA)
@ qty:
0
Tipo de FET:
N-canal
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
0.74nC @ 4,5V
Fabricante:
Diodos incorporados
Cantidad mínima:
3000
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
1.8V, 4.5V
El stock de la fábrica:
0
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Característica del FET:
-
Serie:
-
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
60.67pF @ 16V
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de la SOT-323.
Estado de las partes:
Actividad
embalaje:
Cintas y bobinas (TR)
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
450 mOhm @ 600 mA, 4,5 V
Disipación de poder (máxima):
Las emisiones de gases de efecto invernadero
Envase / estuche:
SC-70, SOT-323: las pruebas de las mismas.
Tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Vgs(th) (máximo) @ Id:
1V @ 250µA
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
20 V
Introducción
El DMG1012UW-7, de Diodes Incorporated, es MOSFET. lo que ofrecemos tiene un precio competitivo en el mercado mundial, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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