Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
fabricante:
Nexperia
Descripción:
MOSFET 20V MOSFET de canal de trincheras en P
Categoría:
Semiconductores
Especificaciones
Polaridad del transistor:
P-canal
Tecnología:
Si
Identificación - corriente continua del dren:
- 1,4 A
Estilo de montaje:
DSM/SMT
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Envase / estuche:
Se trata de un sistema de control de las emisiones.
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 °C
Modo del canal:
Aumento
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:
- 20 V
embalaje:
El rollo
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente:
- 450 mV
Categoría de productos:
MOSFET
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:
940 mOhms
Número de canales:
1 Canal
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:
+/- 8 V
Qg - carga de la puerta:
1.3 nC
Fabricante:
Nexperia
Introducción
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