MMBFJ177LT1G
fabricante:
En el caso de las
Descripción:
Las emisiones de gases de efecto invernadero de los Estados miembros se calcularán en función de las
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Los JFET
Tipo de FET:
P-canal
Estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Serie:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1.5 mA @ 15 V
El Sr.:
en semi
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Potencia - máximo:
225 mW
Resistencia - RDS (encendido):
300 ohmios
Número del producto de base:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Introducción
P-canal 30 V de JFET soporte superficial SOT-23-3 (TO-236) de 225 mW
Envíe el RFQ
Común:
MOQ: