Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
fabricante:
Renesas Electronics América Inc.
Descripción:
CI SRAM 4MBIT PARALELO 44TSOP II
Categoría:
Semiconductores
Especificaciones
Categoría:
Circuitos integrados (CI)
Memoria
Memoria
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
paquete:
Envases
Serie:
-
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
En paralelo
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
15 días
Paquete de dispositivos del proveedor:
44-TSOP II
Tipo de memoria:
Las sustancias
El Sr.:
Renesas Electronics América Inc.
Tamaño de la memoria:
4Mbit
Voltagem - Suministro:
3 V ~ 3,6 V
Tiempo de acceso:
15 ns
Envase / estuche:
44-TSOP (0,400", anchura de 10.16m m)
Organización de la memoria:
256K x 16
Temperatura de funcionamiento:
0 °C ~ 70 °C (TA)
Tecnología:
Las unidades de memoria de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento de da
Número del producto de base:
Se trata de un sistema de control de la calidad.
Formato de memoria:
La SRAM
Introducción
SRAM - Memoria asíncrona IC 4Mbit Paralelo 15 ns 44-TSOP II
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Común:
MOQ: