ES2J
fabricante:
Taiwán Semiconductor Corporation
Descripción:
Se aplicará el método siguiente:
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos
Estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
µA 10 @ 600 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.7 V @ 2 A
paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
Capacidad @ Vr, F:
20pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
DO-214AA (SMB)
Tiempo de recuperación inverso (trr):
35 ns
El Sr.:
Taiwán Semiconductor Corporation
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
DO-214AA, SMB
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
2A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
ES2J
Introducción
Soporte superficial DO-214AA (SMB) del diodo 600 V 2A
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Las demás:
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Sección 16
DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AC
El número de unidad
DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AC
Sección 2
DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO214AA
El uso de la tecnología BAT54A
SOT-23, 30V, 0.2A, SCHOTTKY DIOD
RB520S-30 y sus derivados
SOD-523F, 30V, 0.2A, SCHOTTKY DI
El uso de la tecnología BAT54S
SOT-23, 30V, 0.2A, SCHOTTKY DIOD
Se trata de un sistema de seguridad.
DIODE GEN PURP 3A DO214AB
US1D
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
| Imagen | parte # | Descripción | |
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S5J |
DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
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Las demás: |
DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AB
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Sección 16 |
DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AC
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El número de unidad |
DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AC
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Sección 2 |
DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO214AA
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El uso de la tecnología BAT54A |
SOT-23, 30V, 0.2A, SCHOTTKY DIOD
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RB520S-30 y sus derivados |
SOD-523F, 30V, 0.2A, SCHOTTKY DI
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El uso de la tecnología BAT54S |
SOT-23, 30V, 0.2A, SCHOTTKY DIOD
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Se trata de un sistema de seguridad. |
DIODE GEN PURP 3A DO214AB
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US1D |
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
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