SCS308AHGC9
fabricante:
Semiconductor de Rohm
Descripción:
Diodo SIL CARB 650V 8A TO220ACP
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos
Estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
40 μA @ 650 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.5 V @ 8 A
paquete:
El tubo
Serie:
-
Capacidad @ Vr, F:
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-220ACP
Tiempo de recuperación inverso (trr):
0 años
El Sr.:
Se trata de un sistema de transmisión de datos.
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
175°C (máximo)
Envase / estuche:
TO-220-2
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
8A
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:
SCS308
Introducción
Diodo 650 V 8A a través del agujero TO-220ACP
Envíe el RFQ
Común:
MOQ: