Si el valor de las emisiones de CO2 es superior al 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será igual al 0,9%.
fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
190 nC @ 10 V
Característica del FET:
-
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Serie:
TrenchFET®
Vgs (máximo):
± 20 V
Vgs(th) (máximo) @ Id:
3V @ 250µA
Paquete de dispositivos del proveedor:
PowerPAK® SO-8
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
14Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de las emisiones de gases de
El Sr.:
Vishay Siliconix
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de FET:
P-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
4.5V y 10V
Disipación de poder (máxima):
1,9 W (Ta)
Envase / estuche:
PowerPAK® SO-8
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
8.6A (Ta)
Tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base:
Sección 7
Introducción
Soporte PowerPAK® SO-8 de la superficie 1.9W (TA) del P-canal 60 V 8.6A (TA)
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