Las medidas de seguridad se aplican a las aeronaves de las categorías A, B y C.
fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70 y otros componentes de la misma
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
Característica del FET:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
1.4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Envase / estuche:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
14.5 nC @ 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
1.38 Ohm @ 750mA, 4,5 V
Tipo de FET:
N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
1.8V, 4.5V
paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Vgs (máximo):
±16V
Estado del producto:
Actividad
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Serie:
TrenchFET®
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
El Sr.:
Vishay Siliconix
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
2.6A (Tc)
Disipación de poder (máxima):
3.5 W (Ta), 19 W (Tc)
Tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base:
Las condiciones de los productos
Introducción
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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