SIR681DP-T1-RE3
fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK (incluido el motor de carga)
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
Tipo de FET:
P-canal
Característica del FET:
-
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Vgs(th) (máximo) @ Id:
2.6V @ 250µA
Serie:
TrenchFET® generación IV
Vgs (máximo):
± 20 V
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
105 nC @ 10 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
PowerPAK® SO-8
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
11.2mOhm @ 10A, 10V
El Sr.:
Vishay Siliconix
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
4850 pF @ 40 V
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Disipación de poder (máxima):
6.25 W (Ta), 104 W (Tc)
Envase / estuche:
PowerPAK® SO-8
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
17.6A (Ta), 71.9A (Tc)
Tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base:
El tratamiento de la infección
Introducción
P-Canal 80 V 17.6A (Ta), 71.9A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) PowerPAK® SO-8 montado en la superficie
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