En el caso de las entidades de crédito, las entidades de crédito deben tener en cuenta las siguientes características:
fabricante:
Las acciones de Texas Instruments
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
FET Feature:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
2.2V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Envase / estuche:
8-PowerTDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
58 nC @ 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
3.2mOhm @ 25A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
5070 pF @ 30 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
NexFET™
Supplier Device Package:
8-VSONP (5x6)
Mfr:
Texas Instruments
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
100A (Ta)
Power Dissipation (Max):
3.2W (Ta), 156W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
CSD18532
Introducción
N-canal 60 V 100A (Ta) 3.2W (Ta), 156W (Tc) Montaje de superficie 8-VSONP (5x6)
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Común:
MOQ: