Se trata de un sistema de control de las emisiones.
fabricante:
Tecnología de microchips
Descripción:
DIODE GEN PURP 660V 2A D-5A
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos
Product Status:
Active
Corriente - fuga inversa @ Vr:
Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de la temperatura del aire.
Mounting Type:
Surface Mount
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.4 V @ 1.2 A
Package:
Bulk
Serie:
Militar, MIL-PRF-19500/585 Las fuerzas armadas
Capacitance @ Vr, F:
10pF @ 10V, 1MHz
Supplier Device Package:
D-5A
Reverse Recovery Time (trr):
30 ns
Mfr:
Microchip Technology
Technology:
Standard
Operating Temperature - Junction:
-65°C ~ 150°C
Package / Case:
SQ-MELF, A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
660 V
Current - Average Rectified (Io):
2A
Speed:
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Base Product Number:
1N6622
Introducción
Diodo 660 V 2A Montado de superficie D-5A
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Común:
MOQ: