No obstante, la Comisión considera que la Comisión no puede adoptar ninguna medida para evitar que se produzca una violación de los derechos humanos.
fabricante:
En el caso de las
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
5.1 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
155mOhm @ 1A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
182 pF @ 25 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Series:
Automotive, AEC-Q101
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Mfr:
onsemi
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
1.7A (TA)
Disipación de poder (máxima):
900mW (TA)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
NVR5198
Introducción
N-Canal 60 V 1.7A (Ta) 900mW (Ta) Montado en la superficie SOT-23-3 (TO-236)
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Común:
MOQ: