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Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.8V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento:
-65 °C ~ 150 °C (TJ)
Package / Case:
TO-261-4, TO-261AA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
30 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
65mOhm @ 5A, 10V
Tipo de FET:
P-canal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
690 pF @ 15 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
SOT-223-4
Mfr:
onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
5A (Ta)
Power Dissipation (Max):
3W (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
NDT452
Introducción
Se aplicará el método de calibración de las emisiones de gases de efecto invernadero en el caso de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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