Si el número de unidades de producción es superior a 0,01
fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
20 nC @ 5 V
FET Feature:
-
Product Status:
Active
Mounting Type:
Surface Mount
paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Series:
TrenchFET®
Vgs (máximo):
± 20 V
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Paquete de dispositivos del proveedor:
8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
30mOhm @ 7.5A, 10V
El Sr.:
Vishay Siliconix
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Power Dissipation (Max):
1.5W (Ta)
Package / Case:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
5.7A (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI4431
Introducción
P-Canal 30 V 5.7A (Ta) 1.5W (Ta) Montaje de superficie 8-SOIC
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