Se aplicará el procedimiento siguiente:
fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
FET Feature:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Envase / estuche:
Se trata de un sistema de gestión de la seguridad.
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
12 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
500mOhm @ 1.1A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
270 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
SOT-223
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
1.8A (Tc)
Power Dissipation (Max):
2W (Ta), 3.1W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IRFL9014
Introducción
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero en el caso de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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