El número de personas a las que se refiere el apartado 1 del presente artículo es el siguiente:
fabricante:
Tecnologías Infineon
Descripción:
MOSFET N-CH 150V 33A DPAK
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
5V @ 100µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Envase / estuche:
TO-252-3, DPak (2 Pistas + Tab), SC-63
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
26 nC @ 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
42mOhm @ 21A, 10V
FET Type:
N-Channel
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
10 V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
150 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1750 pF @ 50 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
HEXFET®
Supplier Device Package:
D-Pak
Mfr:
Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
33A (Tc)
Power Dissipation (Max):
144W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IRFR4615
Introducción
N-canal 150 V 33A (Tc) 144W (Tc) Montaje de superficie D-Pak
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Común:
MOQ: