Se aplicará a los vehículos de las categorías II y III.
fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Envase / estuche:
4 DIP (0,300", 7,62 mm)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
18 nC @ 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
600mOhm @ 600mA, 10V
FET Type:
P-Channel
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
10 V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
390 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
-
Supplier Device Package:
4-HVMDIP
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
1A (Ta)
Power Dissipation (Max):
1.3W (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IRFD9120
Introducción
Canal P 100 V 1A (Ta) 1.3W (Ta) a través del agujero 4-HVMDIP
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