El número de unidades de producción será el número de unidades de producción.
Especificaciones
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
100 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
7.5mOhm @ 100A, 10V
Tipo de FET:
N-canal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Paquete:
El tubo
Drain to Source Voltage (Vdss):
150 V
Vgs (máximo):
± 20 V
Product Status:
Active
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
7350 pF @ 75 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
PowerTrench®
Supplier Device Package:
TO-220-3
Mfr:
onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
130A (Tc)
Power Dissipation (Max):
333W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
FDP075
Introducción
N-canal 150 V 130A (Tc) 333W (Tc) a través del agujero TO-220-3
Envíe el RFQ
Común:
MOQ: